特許

J-GLOBAL ID：200903001522209211

不揮発性半導体記憶装置の消去方法、消去機能を備えた不揮発性半導体記憶装置及び書込装置

発明者： 佐鳥 謙一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-148169
公開番号（公開出願番号）：特開平5-314783
出願日： 1992年05月13日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】 E2 PROMの消去を過剰消去のメモリセルが生じないように行う。【構成】 消去処理を行った後、その消去処理を行った各メモリセルに対して過剰消去の有無を検出し、過剰消去のメモリセルに対して通常の書込条件よりも弱い条件で書込みを行って過剰消去を解消する。【効果】 過剰消去のセルを軽い書込みで0Vあるいはそれ以下のVthを高めて正常な消去状態にできる。

請求項（抜粋）：

消去処理を行った後、その消去処理を行った各メモリセルに対して過剰消去の有無を検出し、過剰消去のメモリセルに対して通常の書込条件よりも弱い条件で書込みを行って過剰消去を是正することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の消去方法

IPC (4件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 309 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371