特許

J-GLOBAL ID：200903001522517153

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 近藤 浩史
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 大塚 康徳 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-158907
公開番号（公開出願番号）：特開2001-338932
出願日： 2000年05月29日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：

【要約】【課題】より高密度に実装することができる半導体装置を提供する。【解決手段】少なくとも1つ以上の電極部を有する半導体素子1が、その電極部と電気的に接続される電極部を有する配線部材4に電気的に接続されている半導体装置において、半導体素子1の半導体部が形成されている面以外の面に、少なくとも1つ以上の溝2が設けられている。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つ以上の電極部を有する半導体素子が、その電極部と電気的に接続される電極部を有する配線部材に電気的に接続されている半導体装置において、前記半導体素子の半導体膜が形成されている面以外の面に、少なくとも1つ以上の溝が設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/52 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12

FI (4件)：

H01L 21/52 A ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 501 W ,  H01L 23/12 501 B

Fターム (4件)：

5F044QQ00 ,  5F047AA13 ,  5F047AA17 ,  5F047CB03