特許
J-GLOBAL ID：200903001524664463
温度補償回路付きマイクロ波発振器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
曾我 道照
, 曾我 道治
, 池谷 豊
, 古川 秀利
, 鈴木 憲七
, 梶並 順
, 白石 泰三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-206913
公開番号（公開出願番号）：特開2004-056189
出願日： 2002年07月16日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】簡単な回路構成で、小形化することができ、共振回路のQ値の低下や位相雑音の劣化のない温度補償回路付きマイクロ波発振器を得る。【解決手段】発振素子として用いられる電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタを所望周波数で発振させる共振回路と、電界効果トランジスタのゲート端子にゲート電圧を印加するゲートバイアス回路と、電界効果トランジスタのドレイン端子にドレイン電圧を印加するドレインバイアス回路と、ゲートバイアス回路またはドレインバイアス回路の少なくとも一方に対して所望周波数における温度補償を行う温度補償回路と、電界効果トランジスタの端子間に印加される電圧に応じて容量が変化する可変容量ダイオードとを備え、可変容量ダイオードは、可変容量ダイオードのカソード端子電圧がアノード端子電圧よりも高くなる向きに接続され、電界効果トランジスタのバイアスと可変容量ダイオードのバイアスとを共通化した。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
発振素子として用いられる電界効果トランジスタと、
前記電界効果トランジスタを所望周波数で発振させる共振回路と、
前記電界効果トランジスタのゲート端子にゲート電圧を印加するゲートバイアス回路と、
前記電界効果トランジスタのドレイン端子にドレイン電圧を印加するドレインバイアス回路と、
前記ゲートバイアス回路または前記ドレインバイアス回路の少なくとも一方に対して前記所望周波数における温度補償を行う温度補償回路と、
前記電界効果トランジスタの端子間に印加される電圧に応じて容量が変化する可変容量ダイオードとを備え、
前記可変容量ダイオードは、
前記可変容量ダイオードのカソード端子電圧がアノード端子電圧よりも高くなる向きに接続され、前記電界効果トランジスタのバイアスと前記可変容量ダイオードのバイアスとを共通化したことを特徴とする温度補償回路付きマイクロ波発振器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
5J081AA11
, 5J081BB06
, 5J081CC17
, 5J081CC30
, 5J081CC42
, 5J081DD04
, 5J081DD24
, 5J081EE10
, 5J081EE18
, 5J081FF05
, 5J081FF23
, 5J081GG02
, 5J081KK02
, 5J081KK09
, 5J081KK22
, 5J081LL07
, 5J081MM01
