特許
J-GLOBAL ID：200903001525030891
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
布施 行夫
, 大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-000465
公開番号（公開出願番号）：特開2006-190746
出願日： 2005年01月05日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：
【課題】 実装性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置は、配線基板10と、配線基板10の第1の面14に搭載された第1の半導体チップ20と、配線基板10と第1の半導体チップ20とを接着する、第1の半導体チップ20よりも大きい外形をなす第1の樹脂部30と、配線基板10の第2の面16に搭載された、第1の半導体チップ20よりも小さい第2の半導体チップ40と、配線基板10と第2の半導体チップ40とを接着する、第2の半導体チップ40よりも大きい外形をなす第2の樹脂部50とを有する。第1の半導体チップ20の外周から第1の樹脂部30の外周までの距離は、第2の半導体チップ40の外周から第2の樹脂部50の外周までの距離よりも長い。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
配線基板と、
前記配線基板の第1の面に搭載された第1の半導体チップと、
前記第1の面に形成されて前記配線基板と前記第1の半導体チップとを接着する、前記第1の半導体チップよりも大きい外形をなす第1の樹脂部と、
前記配線基板の第2の面に搭載された、前記第1の半導体チップよりも小さい第2の半導体チップと、
前記第2の面に形成されて前記配線基板と前記第2の半導体チップとを接着する、前記第2の半導体チップよりも大きい外形をなす第2の樹脂部と、
を有し、
前記第1の半導体チップの外周から前記第1の樹脂部の外周までの距離は、前記第2の半導体チップの外周から前記第2の樹脂部の外周までの距離よりも長い半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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