特許
J-GLOBAL ID：200903001536515862

窒化ガリウム結晶基板、その製造方法、窒化ガリウム系半導体素子および発光ダイオード

発明者：
宇田川 隆

宇田川 隆 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 柿沼 伸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-276911
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119423
出願日： 2002年09月24日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】転位密度が低く結晶品質に優れ、且つ大口径の珪素単結晶を基板として利用し、その表面上に成膜した窒化ガリウム種結晶層を基として、その上に窒化ガリウム結晶層を形成し、結晶欠陥密度が小さく大面積の窒化ガリウム結晶基板を製造する方法を提供する。【解決手段】珪素単結晶基板の表面に、硼素とリンとを含む非晶質層を形成し、次いで該非晶質層上にリン化硼素結晶層を形成し、次いで該リン化硼素結晶層上に、750°C以上1200°C以下の温度に於いて、窒化ガリウム種結晶層を気相成長させ、次いで該窒化ガリウム種結晶層上に窒化ガリウム結晶層を気相成長させ、その後、珪素単結晶基板、非晶質層、及びリン化硼素結晶層を除去して、窒化ガリウム結晶基板を製造する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
珪素(Si)単結晶基板の表面に、硼素(B)とリン(P)とを含む非晶質層を形成し、次いで該非晶質層上にリン化硼素(BP)結晶層を形成し、次いで該リン化硼素結晶層上に、750°C以上1200°C以下の温度に於いて、窒化ガリウム(GaN)種結晶層を気相成長させ、次いで該窒化ガリウム種結晶層上に窒化ガリウム結晶層を気相成長させ、その後、珪素単結晶基板、非晶質層、及びリン化硼素結晶層を除去して、窒化ガリウム結晶基板を製造することを特徴とする窒化ガリウム結晶基板の製造方法。
IPC (5件)：
H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L21/02 ,  H01L29/201 ,  H01L33/00
FI (5件)：
H01L21/205 ,  C30B29/38 D ,  H01L21/02 B ,  H01L33/00 C ,  H01L29/203
Fターム (33件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TB02 ,  4G077TC14 ,  4G077TC17 ,  4G077TK11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F045AA01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB15 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12
引用特許：
審査官引用 (4件)
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