特許
J-GLOBAL ID:200903001544172400

固体撮像装置及び距離情報入力装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  河野 哲 ,  風間 鉄也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-266862
公開番号(公開出願番号):特開2004-104676
出願日: 2002年09月12日
公開日(公表日): 2004年04月02日
要約:
【課題】高感度・低ノイズで、高線形性・高精細を可能とする固体撮像装置(及び距離情報入力装置)を提供すること。【解決手段】光電変換部101と、該光電変換部101から電荷検出部103へ光電荷を完全転送する転送ゲートと、上記電荷検出部103へ送られた電荷を増幅して読み出す読み出しトランジスタ110と、上記電荷検出部103に送られた電荷を積分蓄積する帰還容量106と、上記電荷検出部103をリセットするリセットトランジスタ104と、選択された画素の光電変換信号を出力する選択トランジスタ112と、から単位画素100を構成し、該単位画素100外に、上記読み出しトランジスタ110に電流を供給する電流源トランジスタ109と、画素信号に混入した固定パターンノイズを除去するCDS回路114とを、画素の列(行)毎に共有して形成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
複数の単位画素と電流源用の電界効果トランジスタ及び相関二重サンプリング回路を有する固体撮像装置において、 上記単位画素が、 入射光を感知して光電荷を生成するためのMOSダイオードよりなる光電変換部と、 上記光電変換部に隣接し、上記光電変換部下の蓄積電荷を完全転送するための転送ゲート部と、 上記転送ゲート部より完全転送された蓄積電荷を検出するための電荷検出部と、 上記電荷検出部へ転送された蓄積電荷を増幅・読み出すために、上記電荷検出部とそのゲートを接続し、そのソースが接地された増幅・読み出し用の電界効果トランジスタと、 上記電荷検出部で検出された蓄積電荷を積分蓄積するために、上記増幅・読み出し用の電界効果トランジスタのゲートにその一端子を接続し、その他端子を上記増幅・読み出し用の電界効果トランジスタのドレインと接続するように配置した帰還容量と、 上記電荷検出部の電位をリセット電位へとリセットするために、そのソースが上記帰還容量の一端と接続され、そのドレインが上記帰還容量の他端にそれぞれ接続されたリセット動作用の電界効果トランジスタと、 検出、読み出された蓄積電荷を出力すべき単位画素として当該単位画素を選択するために、上記増幅・読み出し用の電界効果トランジスタのドレインと当該単位画素外の回路との接続をオン/オフする単位画素選択用の電界効果トランジスタと、 から構成され、 上記電流源用の電界効果トランジスタが、上記複数の単位画素外に配置されるとともに、上記単位画素選択用の電界効果トランジスタによって選択された上記単位画素の増幅・読み出し用の電界効果トランジスタに電流を供給するためにカレントソース回路を形成すべく、そのゲートにはバイアス供給電圧が、また、そのソースには電源電圧が印加され、そのドレインには上記各単位画素の上記単位画素選択用の電界効果トランジスタのドレインが接続されるように構成され、 上記相関二重サンプリング回路が、上記複数の単位画素外に配置されるとともに、上記単位画素選択用の電界効果トランジスタによって選択された単位画素から出力された画素信号に混入した固定パターンノイズとリセットノイズとを除去するために、上記各単位画素の上記単位画素選択用の電界効果トランジスタのドレインに接続されるように構成されている、 ことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件):
H04N5/335 ,  H01L27/146
FI (3件):
H04N5/335 P ,  H04N5/335 E ,  H01L27/14 A
Fターム (23件):
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118AB03 ,  4M118BA11 ,  4M118BA14 ,  4M118CA07 ,  4M118CA09 ,  4M118CA12 ,  4M118CA40 ,  4M118DB09 ,  4M118DD03 ,  4M118DD10 ,  4M118DD12 ,  4M118FA03 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA34 ,  4M118FA42 ,  5C024CX03 ,  5C024CX41 ,  5C024HX13 ,  5C024HX35 ,  5C024HX40

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