特許

J-GLOBAL ID：200903001544850085

露光方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 納土 晋一郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-197902
公開番号（公開出願番号）：特開2002-015980
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】 検出波形の非対称性に起因するアライメントマークの検出位置のだまされを防止し、露光位置精度の良好なパターン露光を行うことが可能な露光法方法を提供する。【解決手段】 複数のアライメントマークの検出波形を分類した複数の標準波形と、各標準波形に対応するアライメントマークの位置データとを1対1に対応させたシグナルデータベースをする。そして、シグナルデータベースに格納された複数の標準波形のうち、パターン露光の際のアライメントで検出されたアライメントマークの検出波形とのマッチング率の一番高い標準波形を選択し、その標準波形に対応する位置データをこのアライメントマークの中心位置Oとして付与する。その後、付与された中心位置Oに基づいて露光位置を調整しながらパターン露光を行う。

請求項（抜粋）：

複数のアライメントマークの検出波形を分類した複数の標準波形と、当該各標準波形に対応するアライメントマークの位置データとを1対1に対応させたシグナルデータベースを用意し、前記シグナルデータベースに格納された複数の標準波形のうち、パターン露光の際のアライメントで検出されたアライメントマークの検出波形とのマッチング率の一番高い標準波形を選択し、その標準波形に対応する位置データを当該アライメントマークの位置データとして付与し、前記付与された位置データに基づいて露光位置を調整しながらパターン露光を行うことを特徴とする露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 9/00

FI (2件)：

G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 525 W

Fターム (3件)：

5F046DB10 ,  5F046FC04 ,  5F046FC06