特許
J-GLOBAL ID：200903001546178945
絶縁膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-126567
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176527
出願日： 1994年06月08日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：
【要約】【目的】 高アスペクト比段差の埋め込み平坦化を実現するために、クラックの発生なしに絶縁膜の厚膜化をすることを目的とする。【構成】 所望の処理が行われた半導体基板1上に、軟化開始温度が硬化温度よりも低いSi-O-Si結合を有する前駆体を塗布する工程と、加熱硬化して絶縁膜とする工程とを含んで絶縁膜11を形成する。前記前駆体としてラダーシロキサンオリゴマーとメチルシロキサンオリゴマーとの混合溶液を用い、これを重合度100以下のラダーシロキサンオリゴマーと重合度10〜100のメチルシロキサンオリゴマーの固形分混合比(重量)を95:5〜75:25の混合溶液とする。
請求項（抜粋）：
所望の処理が行われた半導体基板上に、軟化開始温度が硬化温度よりも低いSi-O-Si結合を有する前駆体を塗布する工程と、加熱硬化して絶縁膜とする工程とを含むことを特徴とする絶縁膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/312
