特許

J-GLOBAL ID：200903001549603272

半導体装置及びその製造方法

発明者： 高田 賢治
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-274003
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102565
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 本発明の目的は、窒化ガリウム系材料を用いた電界効果トランジスタの製造方法を簡略化することである。【解決手段】 窒化ガリウム系半導体層と、前記窒化ガリウム系半導体層とショットキー接合しているショットキー電極18と、前記窒化ガリウム系半導体層に選択的に形成され、結晶欠陥を有する結晶欠陥層25と、前記結晶欠陥層を介して、前記窒化ガリウム系半導体層とオーミック接合しているオーミック電極16,17を有し、前記ショットキー電極と前記オーミック電極は同一の金属であることを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系半導体層と、前記窒化ガリウム系半導体層とショットキー接合しているショットキー電極と、前記窒化ガリウム系半導体層に選択的に形成され、結晶欠陥を有する結晶欠陥層と、前記結晶欠陥層を介して、前記窒化ガリウム系半導体層とオーミック接合しているオーミック電極を有し、前記ショットキー電極と前記オーミック電極は同一の金属であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/872

FI (3件)：

H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/48 M

Fターム (25件)：

4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102HB01 ,  5F102HB07 ,  5F102HB09 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21