半導体フォト・ホール・バーニング・メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-211665
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054715
出願日： 1997年08月06日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】半導体フォト・ホール・バーニング・メモリに関し、多数のドットに書き込みを行なっても、書き込みが難しくなる旨の問題が発生しない半導体フォト・ホール・バーニング・メモリを提供しようとする。【解決手段】バリヤ層13を介して積層された第1の量子ドット部11と第2の量子ドット部12とで構成された基本構造を備え、第1の量子ドット部11中には入射光hνに依って生成された電子・正孔対のうちの電子を保持する第1の量子ドット11Dを含み且つ第2の量子ドット部12中には前記電子・正孔対のうちバリヤ層13をトンネリングしてきた正孔を保持する第2の量子ドット12Dを含んでなる。

請求項（抜粋）：

バリヤ層を介して積層された第1の量子ドット部と第2の量子ドット部とで構成された基本構造を備え、前記第1の量子ドット部中には入射光に依って生成された電子・正孔対のうちの電子を保持する第1の量子ドットを含み且つ前記第2の量子ドット部中には前記電子・正孔対のうち前記バリヤ層をトンネリングしてきた正孔を保持する第2の量子ドットを含むことを特徴とする半導体フォト・ホール・バーニング・メモリ。

IPC (3件)：

H01L 27/10 451 , H01L 29/06 , H01L 29/66

FI (3件)：

H01L 27/10 451 , H01L 29/06 , H01L 29/66

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