特許
J-GLOBAL ID：200903001552543558
誘導結合プラズマリアクタにおける処理を向上して放電損傷を低減する方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-541715
公開番号（公開出願番号）：特表2002-510856
出願日： 1999年03月09日
公開日（公表日）： 2002年04月09日
要約：
【要約】印加される磁場を調整することにより、ワークピース近傍の電子温度を制御する。不均一な電荷の蓄積によるワークピースへの損傷を生じさせることのないようにワークピース近傍の平均イオン密度を増加させる。印加磁場は、時間不変動にも、時間変動にもでき、いずれの場合でも、磁場の大きさを不均一な電荷の蓄積による損傷が生じるレベルの直下のレベルに調整することにより処理を最適化できる。時間変動磁場では、平均イオン密度を平均電子温度に対して調整でき、ワークピースに対する損傷を生じさせることのないように、ワークピース近傍の平均イオン密度を増加できる。また、磁場を発生するための独立して制御可能なコンダクタを提供し、チャンバ内に調整可能な一様でなく分布された磁場を提供する。このことを用いて、プラズマ密度を選択的に制御、もしくは、処理ガス種を選択的に閉じこめることができる。
請求項（抜粋）：
a) イオンを含むプラズマを発生するように誘導電力をリアクタに印加するステップと、b) プラズマリアクタ内にワークピース表面に対して垂直な磁力線を有する磁場を発生するステップと、c) ワークピース近傍の平均電子温度に対してワークピース近傍の平均イオン密度を調整するように磁場をパルス化するステップとを含む誘導プラズマリアクタ内でワークピースを処理する方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, H01J 37/32
, H05H 1/46
H01J 37/32
, H05H 1/46 L
, H01L 21/302 B
5F004AA16
, 5F004BA20
, 5F004BB07
, 5F004BB13
, 5F004CA03
