特許

J-GLOBAL ID：200903001553889733

Sb2Te3単結晶薄膜及びその製造方法

発明者： 井沢 和幸 ,  池谷 謙吾 ,  上村 税男
出願人/特許権者： スズキ株式会社
代理人 (1件)： 奥山 尚一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-300487
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109976
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】 分子線エピタキシー法を用いて、簡単でかつ安価なコストで作製できるSb2Te3単結晶薄膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】 密閉された真空容器1内に配置した基板3上にSb2Te3エピタキシャル単結晶を成長させるSb2Te3単結晶薄膜の製造方法であって、Bi2Te3蒸気圧が容器1内の圧力よりも小さくなる基板温度で、Bi2Te3を基板上に堆積させるバッファ成長段階と、Bi2Te3蒸気圧が容器1内の圧力よりも大きくなる温度まで基板温度を上げ、Bi2Te3蒸気圧が容器1内の圧力よりも小さくなる温度まで基板温度を下げるアニール段階と、これらの段階によって成長させたBi2Te3エピタキシャル単結晶の表面に、Sb2Te3単結晶を成長させる結晶成長段階とを含んでなるSb2Te3単結晶薄膜の製造方法である。

請求項（抜粋）：

密閉された容器内に配置した基板上にSb2Te3エピタキシャル単結晶を成長させるSb2Te3単結晶薄膜の製造方法であって、Bi2Te3蒸気圧が前記容器内の圧力よりも小さくなる基板温度で、Bi2Te3を基板上に堆積させるバッファ成長段階と、Bi2Te3蒸気圧が前記容器内の圧力よりも大きくなる温度まで前記基板温度を上げたのち、更に、Bi2Te3蒸気圧が前記容器内の圧力よりも小さくなる温度まで前記基板温度を下げるアニール段階と、これらのバッファ成長段階及びアニール段階によって前記基板上に成長させたBi2Te3エピタキシャル単結晶の表面に、Sb2Te3単結晶を成長させる結晶成長段階とを含んでなるSb2Te3単結晶薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/363 ,  C01B 19/04 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/52 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/34

FI (6件)：

H01L 21/363 ,  C01B 19/04 G ,  C30B 23/08 M ,  C30B 29/52 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/34

Fターム (23件)：

4G077AA03 ,  4G077BE26 ,  4G077DA05 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA20 ,  4G077SC02 ,  5F103AA04 ,  5F103BB04 ,  5F103BB16 ,  5F103BB55 ,  5F103BB57 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH04 ,  5F103LL20 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103PP02 ,  5F103PP03 ,  5F103RR08