特許
J-GLOBAL ID：200903001560911728
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-345630
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183160
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】本発明は、素子の微細化が進んでも、コンタクト抵抗の増大を招かない半導体装置を提供することを目的とする。【構成】シリコン基板1上に、ゲート酸化膜3を介して形成されたゲート電極4と、このゲート電極4に対向してシリコン基板1の表面に形成されたソース・ドレイン拡散層6と、このソース・ドレイン拡散層6上に形成されたソース・ドレイン電極9と、このソース・ドレイン電極9とソース・ドレイン拡散層6との間に設けられたSi-Ge混晶層8とを備えていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
シリコン基板の表面に形成されたソース・ドレイン拡散層と、このソース・ドレイン拡散層上に形成されたソース・ドレイン電極と、このソース・ドレイン電極と前記ソース・ドレイン拡散層との間に設けられたシリコンと所定の元素とからなる混晶層とを具備してなり、前記所定の元素として、前記混晶層の価電子帯端のエネルギー準位と前記ソース・ドレイン電極のフェルミ準位との差が、前記ソース・ドレイン拡散層の価電子帯端のエネルギー準位と前記ソース・ドレイン電極のフェルミ準位との差より小さくなる元素を選んだことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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