特許

J-GLOBAL ID：200903001563435749

プラズマCVD法および装置

発明者： 大山口 まき子 ,  笹川 孝市
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-103037
公開番号（公開出願番号）：特開平7-310186
出願日： 1994年05月17日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、薄膜形成法の一種であるプラズマCVD法およびその装置において、膜の密着性、緻密性を向上し、かつ成膜速度が早く、膜厚の均一性の良いプラズマCVD法およびその装置を提供することを目的とする。【構成】 アーク放電によりプラズマを生成するプラズマ生成手段、前記プラズマの形状をシート状に変形させるための磁場印加手段、前記シート状のプラズマ中の電子を加速するための電圧印加手段、基板を支持する支持手段、前記基板を所定の圧力に保持するための成膜室、前記プラズマ生成手段と前記成膜室の間に設置され、前記成膜室より低い圧力に設定された圧力調整室、前記圧力調整室および前記成膜室内をそれぞれ所定の圧力に設定するための排気手段、前記成膜室内でプラズマを介して前記基板と対向する側から反応ガスを供給するガス供給手段及び前記成膜室内でプラズマの方向を曲げるための磁場印加手段にて構成される。

請求項（抜粋）：

アーク放電によりプラズマを生成する第1工程、前記プラズマを磁界によりシート状に成形する第2工程、前記シート状のプラズマを磁界により曲げる第3工程、前記シート状のプラズマを曲げる前のプラズマの進行方向に設置された基板上に気相反応によって薄膜を形成する第4工程からなることを特徴とするプラズマCVD法。