特許

J-GLOBAL ID：200903001563566452

薄膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器

発明者： 平井 利充
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-149648
公開番号（公開出願番号）：特開2004-351272
出願日： 2003年05月27日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】細線化を良好に実現できる薄膜パターンの形成方法を提供する。【解決手段】本発明の薄膜パターンの形成方法は、機能液を基板P上に配置することにより薄膜パターンを形成する方法であって、基板P上に薄膜パターンに応じたバンクBを突設するバンク形成工程S1と、バンクBにCF4プラズマ処理により撥液性を付与する撥液化処理工程S3と、撥液性を付与されたバンクB間に機能液を配置する材料配置工程S4とを有することを特徴とする。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

機能液を基板上に配置することにより薄膜パターンを形成する方法であって、 前記基板上に前記薄膜パターンに応じたバンクを形成するバンク形成工程と、 前記バンクに撥液性を付与する撥液化処理工程と、 前記撥液性を付与された前記バンク間に前記機能液を配置する材料配置工程とを有することを特徴とする薄膜パターンの形成方法。

IPC (4件)：

B05D1/26 ,  B05D3/04 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333

FI (5件)：

B05D1/26 Z ,  B05D3/04 C ,  G02F1/13 101 ,  G02F1/13 505 ,  G02F1/1333 500

Fターム (38件)：

2H088EA27 ,  2H088FA30 ,  2H088HA01 ,  2H088HA02 ,  2H088HA06 ,  2H088HA12 ,  2H088MA20 ,  2H090JB02 ,  2H090JB03 ,  2H090JB04 ,  2H090LA01 ,  2H090LA03 ,  2H090LA04 ,  2H090LA15 ,  4D075AC06 ,  4D075AC09 ,  4D075AC88 ,  4D075AC93 ,  4D075AE02 ,  4D075BB49Y ,  4D075CA22 ,  4D075CB11 ,  4D075DA06 ,  4D075DB01 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DB31 ,  4D075DC19 ,  4D075DC21 ,  4D075DC24 ,  4D075EA10 ,  4D075EB13 ,  4D075EB16 ,  4D075EB22 ,  4D075EB32 ,  4D075EB39 ,  4D075EB43 ,  4D075EC10