特許
J-GLOBAL ID：200903001568711922
固体撮像装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-079288
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313109
出願日： 1994年07月28日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：
【要約】【課題】 インターライン転送型CCDイメージセンサにおいて、印加電圧の増大を招かずにトランスファゲートの短チャネル化をはかる構造を提供する。【解決手段】 蓄積領域3から埋込層6への電荷の読出しを制御するトランスファゲートTGの半導体領域に、蓄積領域3および埋込層6と同じ導電型のチャネル制御部13を設ける。電荷読出しのチャネルがチャネル制御部13内に形成されることにより、安定した電荷読出しを実現することができる。また、このチャネル制御部13を表面付近に設けることにより、トランスファゲート電極10TGから延びる電界の効果を強め、トランスファゲート電極10GTに印加する電圧に対するチャネルの電位の変調度を高くすることができる。これらの結果、電荷読出しを行うためにトランスァゲート電極10TGに印加する電圧を、小さくすることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面部の第1導電型領域に設けられた第2導電型の蓄積領域および前記蓄積領域の表面部に形成された第1導電型の表面層を有するホトダイオード部と、前記第1導電型領域の表面部に前記蓄積領域と所定の間隔をもって配置された第2導電型の埋込層および前記埋込層と交差する複数の転送電極を含む垂直CCDレジスタと、前記蓄積領域と前記埋込層とで挟まれた半導体基板領域の表面をゲート絶縁膜を介して被覆するトランスファゲート電極を含むトランスファゲートとを有し、信号電荷が前記蓄積領域から前記埋込層へトランスファゲートを介して基板表面付近でおこるパンチスルーの効果によって読出されることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 B
, H04N 5/335 F
