半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-012657
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218077
出願日： 1992年01月28日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【構成】ゲート電極41の側壁にスペーサを形成するのに、酸化シリコン膜61,71の堆積、エッチバックによるサブスペーサの形成を繰り返し行なう。【効果】ゲート電極を薄くしても、幅広のスペーサを形状よく形成できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面の所定領域にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、所定厚さの絶縁膜を堆積したのち異方性エッチングを行ない前記ゲート電極の側壁に前記絶縁膜をスペーサとして残す工程を有し、前記スペーサ形成工程は前記ゲート電極の膜厚より薄い絶縁膜の堆積とエッチングによるサブスペーサの形成を繰り返し行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 301 L

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