特許
J-GLOBAL ID：200903001575305492
半導体基板の表面処理方法、半導体基板、及び薄膜形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-022910
公開番号（公開出願番号）：特開2009-182315
出願日： 2008年02月01日
公開日（公表日）： 2009年08月13日
要約：
【課題】半導体基板上への薄膜形成工程(例えば、エピタキシャル成長工程)直前に、簡単な前処理を行うだけで、半導体基板上に良質な半導体薄膜を形成可能な技術を提供する。【解決手段】1又は2以上の結晶層を有する半導体基板11の最表層の表面を、当該最表層の熱分解温度より低い熱分解温度を有する材料からなる被覆膜12で被覆し、この状態でウェハ容器に収容し保管する。そして、この被覆膜12が形成された半導体基板1をウェハ容器から取り出し、被覆膜12を熱分解により当該半導体基板11表面から除去してから、薄膜形成工程13を行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
1又は2以上の結晶層を有する半導体基板の表面処理方法において、
前記半導体基板の最表層の表面を、当該最表層の熱分解温度より低い熱分解温度を有する材料からなる被覆膜で被覆することを特徴とする半導体基板の表面処理方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F103AA04
, 5F103DD01
, 5F103DD03
, 5F103GG01
, 5F103HH03
, 5F103LL03
, 5F103PP05
, 5F103PP13
, 5F103RR04
, 5F103RR08
出願人引用 (2件)
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気相成長方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-124701
出願人：株式会社日鉱マテリアルズ
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エピタキシャル成長方法
公報種別：再公表公報
出願番号：JP2004006144
出願人：日鉱金属株式会社
審査官引用 (6件)
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特開昭61-232608
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特開昭61-289621
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特開昭63-138721
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