特許

J-GLOBAL ID：200903001576154919

半導体レーザ

発明者： アーン ド ヨル
出願人/特許権者： 株式会社金星社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-349571
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085401
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 2軸性圧縮歪みが活性層に発生されるようにして光学的な利得を改善した半導体レーザ装置に関するものである。【構成】 (Cd,S)Zn(Se,Te)化合物にてなる活性層24と、活性層の上下部に積層され、Zn(Se,Te)化合物にてなるクラッド層22,26と、活性層とクラッド層との間に設け、活性層より高いバンドギャップと小さい格子間隔を有する(Cd,S)Zn(Se,Te)化合物にてなる歪み層23,25を持つダブルヘテロ構造を包含してなる。【効果】 活性層の上下部に、活性層より格子常数が小さくてバンドギャップが大きいII-VI族半導体にてなる歪み層を形成して、活性層に2軸性圧縮歪みを誘起することによって光学的な利得を改善することができる。また、これによって、常温での実用化ができる半導体レーザ装置が得られる。

請求項（抜粋）：

所定極性にドープドされた基板と、前記基板に積層され、前記基板と同じ極性にドープドされた、少なくとも1個の下部クラッド層と、前記下部クラッド層の上に積層され、光利得の特性を向上させるための2軸性圧縮歪みを有する活性領域層と、前記活性領域層の上に積層され、前記下部クラッド層と反対の極性にドープドされた、少なくとも1個の上部クラッド層と、前記上部クラッド層の上に積層され、前記基板と反対の極性にドープドされたキャップ層とでなり、前記下部クラッド層と、上部クラッド層と、また活性領域層とがII-VI族化合物半導体にてなる、ダブルヘテロ構造のII-VI族化合物半導体にてなるレーザダイオード。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭63-126288