特許

J-GLOBAL ID：200903001576609860

半導体装置の製造方法

発明者： 梶谷 美道
出願人/特許権者： 日本鉱業株式会社
代理人 (1件)： 並川 啓志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-210486
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036622
出願日： 1991年07月29日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】GaAs半導体表面に安定した特性のショットキー電極などの電極を作成する。【構成】GaAsを主成分とする化合物半導体表面をフッ素元素を含有するプラズマにより処理し、該化合物半導体表面に真空蒸着により電極を形成する。【効果】電極が反応性の高い酸化膜の上に形成されていないため、長期間にわたり安定した特性を得ることができる。

請求項（抜粋）：

GaAsを主成分とする化合物半導体表面をフッ素元素を含有するプラズマにより処理し、該化合物半導体表面に真空蒸着により電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812