特許
J-GLOBAL ID：200903001578591950
光半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-170741
公開番号（公開出願番号）：特開平8-036197
出願日： 1994年07月22日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】【目的】 光半導体装置に関し、例えば光・光スイッチとして長時間の連続使用に耐えることができるように、また、低温成長砒素化合物の応答時間制御性が良くない旨の問題を解消し、更に、ファブリ・ペロー・エタロンに組み込んで全光学動作を可能にする。【構成】 量子準位をもつ第一のウエル層W1並びに第一のウエル層W1に於ける前記量子準位に比較して低い量子準位をもつ第二のウエル層W2をバリヤ層Bを介して交互に積層して形成した光非線形性をもつ装置構成に於いて、第二のウエル層W2の材料として第一のウエル層W1に比較して低い基板温度、例えば200〔°C〕で成長させたGaAsを用い、そこでのキャリヤの寿命を著しく短くする
請求項（抜粋）：
量子準位をもつ第一の井戸層と第一の井戸層に於ける前記量子準位に比較して低い量子準位をもつ第二の井戸層とをバリヤ層を介して交互に積層した光非線形性をもつ装置構成に於いて、第二の井戸層の材料として第一の井戸層に比較して低い基板温度で成長させた砒素化合物を用いることを特徴とする光半導体装置。
IPC (3件)：
G02F 1/35
, H01S 3/106
, H01S 3/18
