特許

J-GLOBAL ID：200903001578664264

半導体素子の金属パターン形成方法

発明者： 梁 基 洪 ,  晋 圭 安
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (3件)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  松本 公雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-167518
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010873
出願日： 2007年06月26日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：

【課題】半導体素子に金属パターンを形成する際の金属による乱反射を防止することにより感光膜パターンの不良の発生を抑制し、かつ、その製造工程を単純化することができる半導体素子の金属パターン形成方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る半導体素子の金属パターン形成方法は、金属パターン用の金属層(12)が形成された半導体基板を提供するステップと、金属層(12)上で酸化反応を起こす洗浄(14)を実施し、金属層(12)上に乱反射防止膜(15)を形成するステップと、乱反射防止膜(15)上に感光膜パターンを形成するステップと、感光膜パターンにより露出した乱反射防止膜(15)及び金属層(12)をエッチングして金属パターンを形成するステップとを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属パターン用の金属層が形成された半導体基板を提供する第1ステップと、 前記金属層上で酸化反応が起きるように洗浄を実施し、前記金属層上に乱反射防止膜を形成する第2ステップと、 前記乱反射防止膜上に感光膜パターンを形成する第3ステップと、 前記感光膜パターンにより露出された前記乱反射防止膜及び前記金属層をエッチングして前記金属パターンを形成する第4ステップと を含むことを特徴とする半導体素子の金属パターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/321

FI (2件)：

H01L21/28 D ,  H01L21/88 C

Fターム (11件)：

4M104BB02 ,  4M104BB18 ,  4M104DD62 ,  4M104DD63 ,  5F033HH08 ,  5F033HH19 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ08 ,  5F033WW04 ,  5F033XX33