特許

J-GLOBAL ID：200903001581826151

不揮発性多値記憶素子及びこれを用いた装置

発明者： 齋藤 美寿 ,  堀口 直人 ,  森 俊彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 松本 眞吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-057081
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273227
出願日： 1994年03月28日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】2値記憶装置と同じ面積で多値を記憶する。【構成】p型半導体基板10の表面部にn型のソース領域11及びドレイン領域12が互いに離間して形成され、ソース領域11とドレイン領域12の間の半導体基板10上に絶縁膜を介して互いに絶縁されたフローティングゲート21及び22が形成され、フローティングゲート21上に絶縁膜を介してコントロールゲート20が形成され、フローティングゲート21、22には、記憶すべき多値の値に応じた量の電荷が注入され、しきい電圧は、多値が1つ増加する毎に一定値変化する。

請求項（抜粋）：

一伝導型の半導体基板(10)表面部に該一伝導型と反対伝導型のソース領域(11)及びドレイン領域(12)が互いに離間して形成され、該ソース領域と該ドレイン領域の間の該半導体基板上に絶縁膜を介して互いに絶縁されたフローティングゲート(21、22)が複数形成され、最上の該フローティングゲート上に絶縁膜を介してコントロールゲート(20)が形成され、記憶すべき多値の値に応じて互いにしきい電圧が異なるように、該フローティングゲートに電荷が注入されていることを特徴とする不揮発性多値記憶素子。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 308 ,  H01L 27/10 434