特許

J-GLOBAL ID：200903001585154514

基板処理装置および半導体装置の製造方法

発明者： 山口 天和 ,  松永 建久 ,  能戸 幸一
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-274752
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080098
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】処理室の側壁外周面に異物が付着するのを防止する。【解決手段】アウタチューブ3と共にプロセスチューブ1を構成したインナチューブ2は複数枚のウエハ10を保持したボート11が搬入される処理室4を形成しており、インナチューブ2とアウタチューブ3との下端部を気密封止したマニホールド6には排気口7が開設され、インナチューブ2には原料ガス30を導入するガス導入ノズル22が敷設されている。インナチューブ2のガス導入ノズル22の反対側には排気スリット25が開設され、インナチューブ2の外周には排気スリット25を被覆する排気ダクト26が突設されている。【効果】排気スリットから排気された処理ガスを排気ダクトに流すことで、処理ガスがインナチューブ外周面に異物を生成するのを防止できるため、生成付着した異物が処理室に逆流してパーティクルになるのを未然に防止できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数枚の基板を処理する処理室と、前記複数枚の基板を保持して前記処理室に搬入するボートと、前記処理室に処理ガスを導入するガス導入口と、前記処理室の側壁に前記ボートに保持された前記複数枚の基板の全長よりも長く延びるように開設されて前記処理室を排気する排気スリットとを備えていることを特徴とする基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/285

FI (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 C

Fターム (23件)：

4K030AA06 ,  4K030AA08 ,  4K030BA29 ,  4K030BA40 ,  4K030CA12 ,  4K030EA11 ,  4K030KA04 ,  4K030KA45 ,  4M104BB01 ,  4M104BB40 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104HH20 ,  5F045AA06 ,  5F045AC15 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EC02 ,  5F045EF03 ,  5F045EF08 ,  5F045EG01