特許

J-GLOBAL ID：200903001585163874

歪ヘテロエピタキシャル層の形成方法

発明者： 大野 守史 ,  中村 稔之 ,  足利 欣哉
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-158463
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022330
出願日： 1993年06月29日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】 臨界膜厚の膜厚を容易に制御でき、かつ、薄膜の表面の凹凸の少ない、しかも、スループットに最適な歪ヘテロエピタイキシャル層の形成方法を提供する。【構成】 この発明の歪ヘテロエピタキシャル層の形成方法によれば、反応炉内でシリコン基板10上に付着した自然酸化膜11を除去する。その後、反応炉内に少なくともシリコン含有IV族系水素ガス、例えばSiH4 ガスと炭素含有IV族系水素ガス、例えばCH4 ガスとの混合ガスを用いて基板上に炭素原子を有するバッファ層12を形成する。その後、SiH4 ガスとGeH4 ガスとの混合ガスを用いてバッファ層上にSi-Ge混晶薄膜14を形成する。

請求項（抜粋）：

反応炉内に原料ガスを用いて所定の加熱温度を加えることにより、下地上に、バッファ層とSi-Ge混晶薄膜を有する歪ヘテロエピタキシャル層を形成するに当たり、(a)前記反応炉内を真空に排気し、前記下地に形成された自然酸化膜を除去した後、少なくともシリコン含有IV族系水素ガスと炭素含有IV族系水素ガスとの混合ガスを用いて下地上に炭素(C)原子を有するバッファ層を形成する工程と、(b)その後、該バッファ層上にSi-Ge混晶薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とする歪ヘテロエピタキシャル層の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/14