特許
J-GLOBAL ID：200903001586678673
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 英彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-215579
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037301
出願日： 1992年07月20日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】 オーミック特性を向上せしめた裏面電極を有する半導体装置及びその製造方法を開発すること。【構成】 不純物を含むシリコン基板1の裏面12に形成された金、前記シリコン基板1に含まれる不純物と同型の不純物X及びシリコンを含む合金層21は、裏面電極2とシリコン基板1とのオーミック特性を良好にし、金層22はシリコンとニッケルとの合金層の発生を防止し、ニッケル層23は裏面電極2とハンダとのなじみを良くする。また、シリコン基板1の裏面12に前記合金層21を形成し、その後金層22及びニッケル層23を順次積層形成しているので、ニッケルとシリコンとの合金層が形成されない。
請求項（抜粋）：
不純物を含むシリコン基板の裏面に金、前記不純物と同型の不純物及びシリコンを含む合金層、金のみもしくは金及び前記不純物と同型の不純物を含む層、ニッケル層を順次積層形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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