硬化性作用基で表面修飾されたカーボンナノチューブを用いたパターン薄膜形成方法および高分子複合体の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：磯野道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-050632
公開番号（公開出願番号）：特開2004-255564
出願日： 2004年02月26日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

【課題】オキシラン基又はアンハイドライド基をカーボンナノチューブの表面に化学的方法で導入し、このように表面修飾されたカーボンナノチューブの光硬化によってパターン薄膜を形成し、或いは熱硬化によってカーボンナノチューブの高分子複合体を製造する方法を提供する。【解決手段】カーボンナノチューブの表面に陽イオン重合に参加することが可能なオキシラン基又はアンハイドライド基を導入し、前記カーボンナノチューブを光酸発生剤又は光塩基発生剤と共に有機溶媒に分散させ、基材上にコーティングした後、フォトマスクを介してUVに露光させ、露光部でカーボンナノチューブの陽イオン重合を誘発した後、非露光部を現像液で除去することにより、カーボンナノチューブのネガティブパターンを形成する。また、カーボンナノチューブを熱硬化剤と共に有機溶媒に分散させ、基材上にコーティングした後、熱硬化させてカーボンナノチューブ高分子複合体を製造する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

次の工程を含むカーボンナノチューブのネガティブパターン形成方法。 (a)下記化学式1で表わされるオキシラン基で表面修飾されたカーボンナノチューブ及び/又は下記化学式2〜7のいずれか一つで表わされるアンハイドライド基で表面修飾されたカーボンナノチューブを、光酸発生剤及び/又は光塩基発生剤と共に有機溶媒に分散させてコーティング液を製造する工程、

IPC (5件)：

B82B1/00 , B05D1/32 , B05D3/06 , B32B9/00 , B82B3/00

FI (5件)：

B82B1/00 , B05D1/32 A , B05D3/06 102Z , B32B9/00 A , B82B3/00

Fターム (50件)：

4D075AD01 , 4D075BB24Z , 4D075BB46Z , 4D075EA21 , 4D075EA45 , 4D075EB13 , 4D075EB19 , 4D075EB22 , 4D075EB32 , 4D075EB33 , 4D075EB35 , 4D075EB37 , 4D075EB39 , 4D075EB43 , 4D075EB56 , 4D075EC07 , 4D075EC30 , 4D075EC38 , 4D075EC45 , 4D075EC54 , 4F100AD11A , 4F100AK12A , 4F100AK21A , 4F100AK23A , 4F100AK25A , 4F100AK33A , 4F100AK36A , 4F100AK41A , 4F100AK43A , 4F100AK45A , 4F100AK46A , 4F100AK50A , 4F100AK52A , 4F100AK53A , 4F100AK54A , 4F100AK56A , 4F100AN02A , 4F100AT00B , 4F100BA02 , 4F100CA02A , 4F100EH46 , 4F100EJ08 , 4F100EJ42 , 4F100EJ64A , 4F100GB43 , 4F100GB90 , 4F100JK12 , 4F100JM01A , 4F100JM02 , 4F100YY00A

引用特許：

審査官引用 (14件)

フラーレン誘導体およびそれの重合体
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-115128 出願人：ヘキストインダストリー株式会社
電界放出陰極、電子放出素子および電界放出陰極の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-255519 出願人：株式会社東芝
官能化されたナノチューブ
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-531955 出願人：ハイピリオンカタリシスインターナショナルインコーポレイテッド

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