特許
J-GLOBAL ID：200903001590913253
拡散層抵抗の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-234813
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097370
出願日： 1994年09月29日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、シリサイド化を行っても大きなプロセス負荷をかけることなく、小さい専有面積で高抵抗な拡散層抵抗の形成を図る。【構成】 第1工程で半導体基板11の拡散層抵抗の形成予定領域12に低濃度拡散層14を形成し、第2工程で半導体基板11表面にマスク形成膜15を成膜後、上記形成予定領域12の一部分を覆うドーピング用マスク16を形成する。第3工程で不純物ドーピングによってドーピング用マスク16の被覆部分を除く部分に高濃度拡散層17を形成する。そして第4工程でドーピング用マスク16をマスクにしてエッチングを行い、マスク形成膜15でシリサイド化用マスク18を形成した後、ドーピング用マスク16を除去し、その後選択的に高濃度拡散層17上層にシリサイド層19を形成する。またこの形成方法はCMOSプロセスにおける拡散層抵抗の形成方法にも適用できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板における拡散層抵抗の形成予定領域に低濃度拡散層を形成する第1工程と、前記半導体基板の表面にマスク形成膜を成膜した後、さらに前記拡散層抵抗の形成予定領域の一部分を覆うドーピング用マスクを形成する第2工程と、不純物ドーピングによって前記ドーピング用マスクに覆われている部分を除く前記拡散層抵抗の形成予定領域に高濃度拡散層を形成する第3工程、前記ドーピング用マスクをエッチングマスクとして用いたエッチングによって前記マスク形成膜でシリサイド化用マスクを形成した後、該ドーピング用マスクを除去し、その後選択的に前記高濃度拡散層の上層にシリサイド層を形成する第4工程とからなることを特徴とする拡散層抵抗の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
H01L 27/04 R
, H01L 27/08 321 N
