特許
J-GLOBAL ID：200903001599012925
半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-068269
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264902
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 低発振しきい値電流を有し、且つ自励発振可能な半導体レーザ素子を提供することが目的である。【構成】 n型AlGaInP系クラッド層3上に形成された、引張り歪みを有するAlGaInP系又はGaInP系量子井戸層5aと圧縮歪みを有するAlGaInP系量子障壁層5bが交互に積層されてなる量子井戸構造を有する活性層5と、この活性層5上に形成されたストライプ状のリッジ部7cを有するp型AlGaInP系クラッド層7と、このリッジ部7c上面の一部を少なくとも除いてp型クラッド層7上に形成されたn型電流阻止層11、11と、を備え、上記各量子井戸層5aの歪み量と層厚との積の和と、上記各量子障壁層5bの歪み量と層厚との積の和との合計値である歪積算量Δが-7×10-10m〜-1.88×10-10mであり、各量子井戸層5aの層厚の和と量子障壁層5bの層厚との和の合計値tが0.07μm以上0.15μm以下であると共に、活性層5と電流阻止層11の間の最短距離dが0.27μm以上0.44μm以下である。
請求項（抜粋）：
第1導電型のAlGaInP系クラッド層と、該第1導電型のクラッド層上に形成された、引張り歪みを有するAlGaInP系又はGaInP系量子井戸層と圧縮歪みを有するAlGaInP系量子障壁層が交互に積層されてなる量子井戸構造を有する活性層と、該活性層上に形成された第2導電型のAlGaInP系クラッド層と、該第2導電型のクラッド層上に形成された所定幅Wのストライプ状の電流通路部を有する第1導電型の電流阻止層と、を備え、上記各量子井戸層の歪み量と層厚との積の和と、上記各量子障壁層の歪み量と層厚との積の和との合計値である歪積算量Δが-7×10-10mより大-1.88×10-10mより小であり、該各量子井戸層の層厚の和と該各量子障壁層の層厚との和の合計値tが0.07μm以上0.15μm以下であると共に、上記活性層と上記電流阻止層の間の最短距離dが0.27μm以上0.44μm以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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