特許
J-GLOBAL ID：200903001604846023

半導体基材用洗浄剤

発明者：
アイピン ウー

アイピン ウー について


出願人/特許権者：
エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド

エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド について


代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  出野 知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-001949
公開番号（公開出願番号）：特開2008-198994
出願日： 2008年01月09日
公開日（公表日）： 2008年08月28日
要約：
【課題】半導体基材から不要な有機および無機の残渣および汚染物質を除去するのに用いられる半水性の洗浄組成物を提供する。【解決手段】この洗浄組成物は、pKa値が約5〜約7の少なくとも3つのカルボン酸基を有する多塩基酸を含む緩衝系を含んでなる。この洗浄組成物はまた、グリセロールなどの多価溶媒を含む。フッ化物イオン源が本発明の洗浄組成物にさらに含まれ、主として基材からの無機残渣の除去に関与する。本発明の洗浄組成物は毒性が低く、環境にやさしい。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
a.フッ化物イオン源、 b.少なくとも3つのカルボン酸基を有する多塩基酸とその共役塩基を含むpH緩衝系、 c.少なくとも1種の多価アルコールを含む溶媒、および d.水 を含んでなる、半導体基材から残渣を除去する組成物。
IPC (6件)：
H01L 21/304 ,  C11D 7/10 ,  C11D 7/28 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  C11D 17/08
FI (7件)：
H01L21/304 647A ,  H01L21/304 647Z ,  C11D7/10 ,  C11D7/28 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D17/08
Fターム (43件)：
4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003DB03 ,  4H003EA05 ,  4H003EA23 ,  4H003EB04 ,  4H003EB05 ,  4H003EB08 ,  4H003EB13 ,  4H003EB14 ,  4H003EB19 ,  4H003EB20 ,  4H003ED02 ,  4H003ED28 ,  5F157AA29 ,  5F157AA32 ,  5F157AA34 ,  5F157AA35 ,  5F157AA36 ,  5F157AA64 ,  5F157AA65 ,  5F157AA71 ,  5F157AA93 ,  5F157AA94 ,  5F157BC03 ,  5F157BC05 ,  5F157BC07 ,  5F157BC08 ,  5F157BC54 ,  5F157BD09 ,  5F157BE12 ,  5F157BE34 ,  5F157BE46 ,  5F157BF12 ,  5F157BF22 ,  5F157BF38 ,  5F157BF39 ,  5F157BF72 ,  5F157BF93 ,  5F157CB03 ,  5F157DB03 ,  5F157DB18 ,  5F157DB57
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 米国特許第5,698,503号
  • 米国特許第6,821,352号
  • 米国特許出願公開第2004/0016904号
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審査官引用 (1件)

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