特許
J-GLOBAL ID:200903001607995380
ポリシランの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
三枝 英二 (外10名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-004581
公開番号(公開出願番号):特開平10-212357
出願日: 1991年01月17日
公開日(公表日): 1998年08月11日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 安全で且つ温和な反応条件下に分子量を制御しつつ、ポリシランを製造する。【構成】 (1)ハロシランを超音波の照射下、或は非照射下に支持電解質として過塩素酸テトラアルキルアンモニウムを使用し、溶媒として非プロトン性溶媒を使用し、Mgを陽極として使用する電極反応に供することにより、ポリシランを製造する方法;(2)ハロシランを超音波の照射下、或は非照射下に支持電解質として過塩素酸テトラアルキルアンモニウムを使用し、溶媒として非プロトン性溶媒を使用し、Mgを一方の極とし、これらと同種または異種の導電性材料を他方の極として一定の時間間隔で電極の極性を切り替える電極反応に供することにより、ポリシランを製造する方法。
請求項(抜粋):
ポリシランの製造方法であって、一般式【化1】(式中、mは、1〜3である:Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表わす。m=1の場合には2つのRが、m=2の場合には4つのRが、m=3の場合には6つのRが、それぞれ同一でも或いは2つ以上が相異なっていても良い:Xは、ハロゲン原子を表わす。)で示されるハロシランを支持電解質として過塩素酸テトラアルキルアンモニウムを使用し、溶媒として非プロトン性溶媒を使用し、Mgを陽極として使用する電極反応に供することにより、一般式【化2】(式中Rは、出発原料に対応して上記に同じ;nは、10〜11000である)で示されるポリシランを形成させることを特徴とする方法。
引用特許: