特許

J-GLOBAL ID：200903001616157312

半導体装置の製造装置及び製造方法

発明者： 恒川 助芳 ,  川▲崎▼ 裕通 ,  渡辺 和人 ,  津国 和之 ,  吉岡 健
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立計測器サービス株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-360985
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176858
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 プラズマダメージの少ないプラズマ処理をインラインに実施する技術を提供する。【解決手段】 プラズマ発生部によって発生させたプラズマを用いて処理を行なう際に、前記プラズマ発生部の誘導結合コイルの一端に整合回路を接続し、前記コイルの他端にコンデンサを接続し、このコンデンサの容量によって、前記コイルの一端に誘起される電圧とコイルの他端に誘起される電圧との電位差を小さくする。

請求項（抜粋）：

プラズマ発生部によって発生させたプラズマを用いて処理を行なう半導体装置の製造装置において、前記プラズマ発生部の誘導結合コイルの一端に整合回路を接続し、コイルの他端にコンデンサを接続し、このコンデンサの容量によって、前記コイルの一端に誘起される電圧と前記コイルの他端に誘起される電圧との電位差を小さくすることを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B

Fターム (9件)：

5F004AA05 ,  5F004AA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB32 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F045EH11