特許

J-GLOBAL ID：200903001620693830

半導体装置の製造方法

発明者： 田中 章人 ,  丸山 錠治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-219989
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069091
出願日： 1992年08月19日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 フォトレジスト表面自体をARC(反射防止)膜として用いる。【構成】 基板2に塗布したフォトレジスト1の表面を、ハーフ露光で元々の屈折率とは異なった領域1Aを形成し、ARC膜としての効果をフォトレジス表面自体に持たせる。【効果】 膜内多重反射効果の低減により、フォトレジストプロファイル及びパターン寸法制御性の向上ができる。

請求項（抜粋）：

基板表面にフォトレジストを均一に塗布する工程、前記フォトレジスト表面を紫外線によりハーフ露光し、所定の厚さで屈折率の異なる表面層を形成する工程、及びマスクパターン転写を行い、アルカリ水溶液により現像処理する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G02F 1/136 500 ,  G03F 7/26

FI (2件)：

H01L 21/30 301 C ,  H01L 21/30 361 T