特許

J-GLOBAL ID：200903001630906204

表面観察装置

発明者： 清水 三郎 ,  不破 耕 ,  柳田 博司 ,  山室 和弘 ,  重富 潤一 ,  山川 洋幸 ,  井野 正三
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 宮崎 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-102179
公開番号（公開出願番号）：特開平6-123720
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【目的】この発明の目的は、直径1μm以下の電子線を10KeV以上のエネルギで高速にして試料に入射させることにより、試料表面の原子配列や幾何学的構造のミクロな情報および試料表面に存在する元素のミクロな情報を得て、試料表面に膜を形成するときにできる核の発生成長を観察し、制御することの可能な表面観察装置を提供することにある。【構成】この発明は、薄膜形成装置の真空槽内に配置された試料の表面すれすれにRHEED電子銃からの電子線を走査させながら入射し、試料表面の原子配列や幾何学構造を蛍光スクリーン上に現して原子配列や幾何学構造の情報を得ると共に、電子線の入射の際に放出される特性X線を全反射角においてX線検出器で検出して試料表面に存在する元素の情報を得る表面観察装置において、上記電子銃からの電子線を10KeV以上のエネルギで高速にすると共に、上記電子銃からの電子線の直径を1μm以下にして試料の表面に入射させることを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

薄膜形成装置の真空槽内に配置された試料の表面すれすれにRHEED電子銃からの電子線を走査させながら入射し、試料表面の原子配列や幾何学構造を蛍光スクリーン上に現して原子配列や幾何学構造の情報を得ると共に、電子線の入射の際に放出される特性X線を全反射角においてX線検出器で検出して試料表面に存在する元素の情報を得る表面観察装置において、上記電子銃からの電子線を10KeV以上のエネルギで高速にすると共に、電子線の直径を1μm以下にして試料の表面に入射させることを特徴とする表面観察装置。

IPC (2件)：

G01N 23/225 ,  G01N 23/207

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-247549
  
• 特開平2-216039
  
• 特開昭61-078041