特許

J-GLOBAL ID：200903001630980331

側方に電流を伝搬する半導体層装置及びこのような半導体層装置を有する発光半導体ダイオード

発明者： クリステイアン・ゲング ,  ヨツヒエン・ゲルネル
出願人/特許権者： テミツク テレフンケン マイクロエレクトロニツク ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 中平 治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-285815
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214743
出願日： 1998年09月02日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 望ましいコストでかつ方法技術的に簡単に製造することができ、かつ必要な電流伝搬を保証し、又はさらに改善する、側方に電流を伝搬する半導体層装置を提供する。【解決手段】電流出口面1と電流ができるだけ大きな実効面積において作用するようにする作用面3との間に、少なくとも1つのヘテロ境界面層系列が配置され、このヘテロ境界面層系列が、異なった材料又は材料混合比の同様に平行に配置された2つの半導体層2.1,2.2からなり、このヘテロ境界面層系列が、多数キャリヤのためのエンハンスメント領域を有するバンド不連続性を有することによって、このエンハンスメント領域において強力な側方電流伝搬に至る。対になって互いに前後に配置された複数のヘテロ境界面層系列によって、電流伝搬は、さらに改善することができる。

請求項（抜粋）：

電流出口面が作用面より小さい、電流出口面からこれに対して平行に配置された作用面に、側方に電流を伝搬する半導体層装置において、電流出口面と作用面との間に、少なくとも1つのヘテロ境界面層系列が配置されており、このヘテロ境界面層系列が、異なった材料又は材料混合比の同様に平行に配置された2つの半導体層からなり、このヘテロ境界面層系列が、多数キャリヤのためのエンハンスメント領域を有するバンド不連続性を有することを特徴とする、側方に電流を伝搬する半導体層装置。