特許

J-GLOBAL ID：200903001633583660

半導体装置、半導体装置の製造方法およびトランジスタ

発明者： 原田 直樹 ,  大淵 真理
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-126441
公開番号（公開出願番号）：特開2009-277803
出願日： 2008年05月13日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：

【課題】優れた動作特性を有する、グラフェン膜をチャネルに用いた半導体装置を提供する。【解決手段】伝導に寄与する二層のグラフェン膜をチャネルとし、該チャネルに固定電荷を導入し、かつ該チャネルに垂直方向に電界を印加可能のように、トップゲートあるいはヅアルゲート型のゲート電極を構成し、反転型あるいはノーマリ・オン型動作の電界効果型トランジスタとする。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

二層のグラフェン膜からなるチャネルと、 前記チャネルの垂直方向に電界を印加可能なゲート電極とを、 備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40

FI (6件)：

H01L29/28 250E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220D ,  H01L29/28 310A ,  H01L29/28 310L

Fターム (32件)：

5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE43 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ16