特許

J-GLOBAL ID：200903001633919684

半導体レーザ素子駆動回路

発明者： 癸生川 典夫 ,  本島 邦明 ,  北山 忠善
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-143612
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007204
出願日： 1993年06月15日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】 GaAsMESFETを用いたドライバ回路において、電源電圧が変動しても一定の出力電流振幅を得る。【構成】 GaAsMESFETドライバ回路において、出力FET4のドレイン側に電位検出回路13を設けて出力電流振幅の平均値を求め、これと基準電流源12の出力を差動増幅器14にて比較増幅しその出力を電圧制御電流源15に入力する。電圧制御電流源15では入力電圧に比例した出力電流I1を有する。これをカレントミラー電流源の基準電流に用いこれを制御する事で一定のI2即ち出力電流振幅を得る構成とした。【効果】 電源電圧変動時にも安定した出力電流振幅が得られるように、簡単なDC回路を付加するのみでカレントミラー電流源の基準電流を制御し絶えず一定の出力電流振幅が得られる。

請求項（抜粋）：

正相データ入力端子と逆相データ入力端子と、差動構成の一対のFETと、前記一対のFETのドレインに接続された負荷と、前記一対のFETの共通ソースにドレインが接続される電流源としてのFETと、前記電流源としてのFETとカレントミラー回路構成となる基準電流源とを備えた半導体レーザ素子駆動回路において、基準電圧源と、前記差動構成の一対のFETの正相側と逆相側のいずれかのドレイン端子に接続する電位検出回路と、前記基準電圧源と電位検出回路の両出力を比較増幅する差動増幅器と、前記差動増幅器出力を入力としその出力が前記カレントミラー回路構成の基準電流源の入力と接続された電圧制御電流源とを備えたことを特徴とする半導体レーザ素子駆動回路。