半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-041469
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236549
出願日： 1995年03月01日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】サージ電圧を吸収することができる機能を内蔵する半導体回路と一体化してモノシリックに集積される半導体装置を提供する。【構成】半導体装置において、導電性基板1と、この導電性基板1上に成長する半絶縁性結晶層2と、この半絶縁性結晶層2に形成される電子回路3と、この電子回路3に接続される入出力端子4及び電源端子5と、前記電子回路3と入出力端子4間に形成される第1の導電領域6と、前記電子回路3と電源端子5間に形成される第2の導電領域7とを設け、前記第1の導電領域6及び第2の導電領域7と前記導電性基板1間の耐圧を前記電子回路3の耐圧より低くなるようにモノシリックに集積する。

請求項（抜粋）：

(a)導電性基板と、(b)該導電性基板上に成長する半絶縁性結晶層と、(c)該半絶縁性結晶層に形成される電子回路と、(d)該電子回路に接続される入出力端子及び電源端子と、(e)前記電子回路と入出力端子間に形成される第1の導電領域と、(f)前記電子回路と電源端子間に形成される第2の導電領域とを設け、(g)前記第1の導電領域及び第2の導電領域と前記導電性基板間の耐圧を前記電子回路の耐圧より低くなるようにモノシリックに集積することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/872

FI (2件)：

H01L 29/80 P , H01L 29/48 H

引用特許：

審査官引用 (5件)

MOS駆動型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-288694 出願人：株式会社東芝
特開平4-152570
特開平4-103138

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