特許
J-GLOBAL ID：200903001636500234
半導体放射線検出素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-079584
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275929
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：
【要約】【課題】エネルギー分解能が高く、かつ安価に製造できる放射線検出素子を提供する。【解決手段】半導体結晶102の相対する2つの平面の間に、p-n接合層、あるいは、ショットキー障壁層及び上記平面に、少なくとも、電極4,5を形成して得られる素子を複数個重ねて検出素子とする。
請求項（抜粋）：
厚さ1mm以下の半導体ウエハの相対する2つの平面の間に、p-n接合層、あるいは、ショットキー障壁層及び上記平面に電極を複数個形成して、上記ウエハを切り取って得られる素子を複数個重ねて形成したことを特徴とする半導体放射線検出素子。
IPC (3件)：
H01L 31/10
, G01T 1/24
, H01L 31/09
H01L 31/10 A
, G01T 1/24
, H01L 31/00 A
