特許
J-GLOBAL ID：200903001637024380
半導体レーザモジユール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小俣 欽司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-272038
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082914
出願日： 1991年09月24日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】 反射防止膜4により、半導体レーザ1の戻り光による悪影響を防止するとともに光ファイバ3Aへの結合効率を向上させ、光ファイバ増幅器が発振することを防止する。【構成】 光ファイバ3Aと利得波長帯Δλの希土類添加光ファイバ3Bを接続し、発振波長λaの半導体レーザ1の出力光を光ファイバ3Aから入射させる場合に、波長λaの入射光を反射することなく光ファイバ3A内に導き、光ファイバ3B内で発生する波長Δλの自然放出光を光ファイバ3A外へ導く反射防止膜4を光ファイバ3Aの入射端に取り付ける。
請求項（抜粋）：
光ファイバ(3A)と利得波長帯Δλの希土類添加光ファイバ(3B)を接続し、発振波長λaの半導体レーザ(1) の出力光を光ファイバ(3A)から入射させる場合に、波長λaの入射光を反射することなく光ファイバ(3A)内に導き、希土類添加光ファイバ(3B)内で発生する波長Δλの自然放出光を光ファイバ(3A)外へ導く反射防止膜(4) を光ファイバ(3A)の入射端に取り付けることを特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, G02B 6/00
, G02B 6/42
