特許

J-GLOBAL ID：200903001639684662

単結晶育成装置

発明者： 和泉 輝郎 ,  倉垣 俊二 ,  川西 荘六
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-128021
公開番号（公開出願番号）：特開平10-310487
出願日： 1997年04月30日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】 カスプ磁界を用いたCZ引き上げにおいて、単結晶引き上げ方向の酸素濃度分布を均一化する。【解決手段】 坩堝11を支持するペディスタル16に、坩堝下方の磁界をペディスタル16に沿って収束させる磁束収束部材30を取り付ける。坩堝11が上昇する引き上げ後期において、十分な量の磁束が坩堝11の底部及び周壁部を直角に横切り、坩堝11の内面に沿った対流が抑制されることにより、原料融液12の酸素濃度上昇が抑制される。

請求項（抜粋）：

CZ法により坩堝内の原料融液から単結晶を引き上げる育成装置本体と、育成装置本体の外周側に配置され、上下1組の環状磁石の組み合わせによりカスプ磁界を発生させる磁界発生手段と、育成装置本体内の坩堝を支持するペディスタルに取り付けられ、坩堝下方の磁界をペディスタルに沿って収束させる磁束収束部材とを具備することを特徴とする単結晶育成装置。

IPC (3件)：

C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 30/04

FI (3件)：

C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 G ,  C30B 30/04