特許

J-GLOBAL ID：200903001640410398

単結晶ウェーハの処理方法とその装置

発明者： 竹安 志信
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 高橋 昌久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-336771
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156040
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 エッチング品質の向上とNOX発生の抑制の両者を満足する事の出来るシリコン単結晶その他のウェーハ処理に関する発明。【解決手段】 硝酸を含む酸溶液からなる液内に、シリコン等の還元性物質からなる単結晶ウェーハを浸漬して、エッチング等の処理を行うウェーハの処理方法において、前記液内に前記ウェーハを浸漬している処理工程中の、少なくとも所定時間、前記液表面上方空間より過酸化水素水を噴霧し、前記還元性物質と硝酸との反応により生成されるNOXの発生を抑制し、好ましくは前記過酸化水素の噴霧速度を、単位薬液あたりのウェーハ表面積で、約200cc/min〜600cc/minの範囲に制御することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

硝酸を含む酸溶液からなる液内に、シリコン、ゲルマニウム等の還元性物質からなる単結晶ウェーハを浸漬して、エッチング等の酸化反応処理を行うウェーハの処理方法において、前記液内に前記ウェーハを浸漬している処理工程中の、少なくとも所定時間、前記液表面上方空間より過酸化水素水を噴霧し、前記還元性物質と硝酸との反応により生成されるNOXの発生を抑制することを特徴とする単結晶ウェーハの処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  C30B 33/10

FI (2件)：

C30B 33/10 ,  H01L 21/306 B

Fターム (16件)：

4G077AA10 ,  4G077BA04 ,  4G077BA05 ,  4G077FG05 ,  4G077FG06 ,  4G077FG11 ,  4G077HA12 ,  5F043AA02 ,  5F043AA05 ,  5F043BB02 ,  5F043BB12 ,  5F043DD30 ,  5F043EE07 ,  5F043EE23 ,  5F043EE31 ,  5F043FF07