特許

J-GLOBAL ID：200903001647395599

熱電変換素子材料の製造方法

発明者： 西村 宣彦 ,  岩本 啓一 ,  馬田 政寛
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-197946
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048152
出願日： 1991年08月07日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 冷却装置、発電装置などに用いられる熱電変換素子材料の製造方法に関する。【構成】 Bi,Te,Sb,Seを主成分とする化合物半導体からなる熱電変換素子の製造方法において、各原料を溶解する工程と、それを冷却して得られたインゴットを粉砕する工程と、得られた粉末の表面に水素プラズマを照射する工程と、水素プラズマを照射した原料粉末を高温下で加圧焼成する工程を具備する熱電変換素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

Bi,Te,Sb,Seを主成分とする化合物半導体からなる熱電変換素子の製造方法において、各原料を溶解する工程と、それを冷却して得られたインゴットを粉砕する工程と、得られた粉末の表面に水素プラズマを照射する工程と、水素プラズマを照射した原料粉末を高温下で加圧焼成する工程とを具備することを特徴とする熱電変換素子の製造方法。