特許

J-GLOBAL ID：200903001652083732

AlxGayInzN構造の組立方法

発明者： キャリー・カーター・コマン ,  フレッド・エイ・キッシュ ,  アール・スコット・カーン ,  マイケル・アール・クレイムス ,  ポール・エス・マーティン
出願人/特許権者： アジレント・テクノロジーズ・インク
代理人 (1件)： 加藤 公久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-018845
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228562
出願日： 2000年01月27日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】高反射率ミラー・スタックを備えるるAlxGayInzN構造を組立てる。【解決手段】ホスト基板(12)を第1のミラー・スタック(14)に取り付ける。また、犠牲成長基板上にAlxGayInzN構造(18)を組立てる。次にそれらをウェーハ・ボンディングにより結合してウェーハ・ボンド界面を形成する。その後レーザ融解によって前記犠牲成長基板を除去する。最後に、前記AlxGayInzN構造に電気接触部を堆積させる。

請求項（抜粋）：

AlxGayInzN構造の組立方法であって、ホスト基板を第1のミラー・スタックに取り付けるステップと、犠牲成長基板上にAlxGayInzN構造を組立てるステップと、ウェーハ・ボンド界面を形成するステップと、レーザ融解によって前記犠牲成長基板を除去するステップと、前記AlxGayInzN構造に電気接触部を堆積させるステップが含まれている、方法。

IPC (2件)：

H01S 5/183 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 5/183 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ダイヤモンド層を含む多層膜構造、それを有する光デバイス、およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-051076   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体光電子素子の製造方法およびこの方法によって製造される素子および素子マトリックス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-249069   出願人：アルカテル・アルストム・コンパニイ・ジエネラル・デレクトリシテ
• 半導体発光素子の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-213676   出願人：ローム株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-116613   出願人：日亜化学工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

• Phys. Stat. Sol. (a), Vol. 159, R3 (1997)
• Appl. Phys. Lett., Vol. 72, No. 5, pp.599-601, 2 February 1998
• Phys. Stat. Sol. (a), Vol. 159, R3 (1997)