特許
J-GLOBAL ID:200903001652315862

不揮発性半導体記憶装置およびそれを用いたICメモリカード

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 隆久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-345365
公開番号(公開出願番号):特開平11-176178
出願日: 1997年12月15日
公開日(公表日): 1999年07月02日
要約:
【要約】【課題】用途に応じて使用方法の変更が可能で、しかも信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置およびそれを用いたICメモリカードを提供する。【解決手段】ICメモリカード10は、多値型フラッシュメモリチップ11a,11b,11c,11d、およびコントローラ12を主構成要素として備え、記憶容量が大きいが書き込み/消去速度や繰り返し書き換え保証回数の低下がある使用と、記憶容量が小さいが書き込み/消去速度や繰り返し書き換え保証回数の低下がない使用方法、すなわち複数の動作モードを使用用途に応じて任意に設定できるように構成する。
請求項(抜粋):
2値または3値以上の多値データを記録可能なメモリセルトランジスタが複数配列されたメモリアレイ領域を有する不揮発性半導体記憶装置であって、上記メモリアレイ領域の少なくとも一部の領域の記録容量を変更して記録可能な手段を有する不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件):
G11C 16/02 ,  G06K 19/07
FI (3件):
G11C 17/00 641 ,  G06K 19/00 N ,  G11C 17/00 601 B

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