特許

J-GLOBAL ID：200903001653693755

半導体集積回路の配線構造体

発明者： 小野 秀昭 ,  中野 正
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 小杉 佳男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-065417
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275623
出願日： 1993年03月24日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】Cu配線を使用した場合に、絶縁膜や基板へのCuの拡散を防止する半導体集積回路の配線構造体を提供する。【構成】Si基板10の表面に5000ÅのBPSGの絶縁膜12を形成し、この絶縁膜12の全表面に、W膜14を600Å成長させた。このW膜14の表面に、ECRプラズマを60秒間照射することにより、W膜14の表面を窒化しW窒化物膜14aを形成した。このW窒化物膜14aの表面に、Cu膜16を5000Å成長させた。その後、パターニングしてCu配線16aを形成した。さらにその後、CVD法によってCu配線16a、W窒化物膜14a、及びW膜14の周囲のみに選択的にWを400Å成長させてW被覆膜18を形成した。

請求項（抜粋）：

W窒化物膜をCu配線の下地及び/又は被覆にしたことを特徴とする半導体集積回路の配線構造体。