特許

J-GLOBAL ID：200903001654688640

可視光半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 廣山 良治 ,  本多 正治
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-335003
公開番号（公開出願番号）：特開平6-164063
出願日： 1992年11月20日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 しきい値電流の増大及び信頼性の低下を抑制して、MOCVD法により一度に積層できる可視光半導体レーザ及びその製造方法を提供すること。【構成】 基板1は(100) 面から〈011 〉方向に5°傾斜させた斜面が設けられており、この傾斜部1a及び平坦部1b上に、n-Ga0.5 In0.5 P のバッファ層2,n-( Al0.7 Ga0.3 ) 0.5 In0.5 P のn-クラッド層3,アンドープ( Al0.1 Ga0.9 ) 0.5 In0.5 P の活性層4,p-( Al0.7 Ga0.3 ) 0.5 In0.5 P のp-クラッド層5及びp-Ga0.5 In0.5 P のコンタクト層6が夫々傾斜部及び平坦部を設けて積層されている。p-クラッド層5の斜線部5aは、平坦部5bよりも高いキャリア濃度を有している。コンタクト層6上には、注入率の傾斜角度依存性を有するn型ドーパント及び前記p型ドーパントが同時に注入され、平坦部がn-GaAsの電流ブロック層7,7、斜線部がp-GaAsの電流注入部8であるGaAs層が積層されている。

請求項（抜粋）：

平坦部及び傾斜部を備えた基板上に、有機金属気相成長(MOCVD)法により、夫々平坦部及び傾斜部を有する活性層及びp型クラッド層をこの順に積層し、前記活性層の傾斜部が発光部となる可視光半導体レーザにおいて、平坦部がn型キャリア濃度を有する電流ブロック層であり、傾斜部がp型キャリア濃度を有する電流注入部であるGaAs層を、前記p型クラッド層上に備えていることを特徴とする可視光半導体レーザ。