特許

J-GLOBAL ID：200903001654847578

高周波線路

発明者： 馬庭 透
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 古谷 史旺 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-251448
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098310
出願日： 1996年09月24日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、回路基板にパターンとして形成された高周波線路に関し、所望の特性を維持しつつ高密度実装に柔軟に適応することを目的とする。【解決手段】 複数の層を有する回路基板11と、不平衡回路を構成する要素として回路基板11に形成された二つの線路パターン121 、122 と、線路パターンが形成された層に対して共通の方向に対向する位置に形成され、かつ不平衡回路に対する駆動電力の供給路をなす共通パターン13と、線路パターンが形成された層と共通パターンが形成された層とで挟まれた内層に形成された遮蔽パターン14とを備え、遮蔽パターンは、線路パターンとの距離がこれらの間隙未満となる位置に形成され、かつ共通パターンに接続されて構成される。

請求項（抜粋）：

複数の層を有する回路基板と、不平衡回路を構成する要素として前記回路基板の異なる層あるいは共通の層に形成された二つの線路パターンと、前記複数の層の内、前記線路パターンが形成された層に対して共通の方向に対向する位置に形成され、かつ前記不平衡回路に対する駆動電力の供給路をなす共通パターンと、前記複数の層の内、前記線路パターンが個別に形成された異なる層の何れか一方の層と、これらの異なる層あるいは線路パターンが共に形成された共通の層と前記共通パターンが形成された層とで挟まれた内層との何れか一方に形成された遮蔽パターンとを備え、前記遮蔽パターンは、前記線路パターンとの距離がこれらの線路パターンの間隙以下となる位置に形成され、かつ前記共通パターンに接続されたことを特徴とする高周波線路。