特許
J-GLOBAL ID：200903001655838688
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-338683
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188398
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】本発明は、いわゆるクロスチェック手法を採用したゲートアレイ方式の半導体集積回路に関し、高集積化を図る。【構成】クロスチェック用配線はゲート配線と同一の配線層で作り込んでおくがゲート配線とクロスチェック用配線はその配線層では接続しないでおき、メタル配線の工程で必要に応じ、作り込んでおいたゲート配線とクロスチェック用配線をコンタクトを介して接続する。
請求項（抜粋）：
2次元的に多数配列された基本セルと、該基本セルに沿って所定の配列方向に延びる、該基本セルを構成するトランジスタのゲート配線と同一の第1配線層で形成されるとともに該ゲート配線とは該第1配線層では分離された多数のクロスチェック用配線とを有し、前記ゲート配線のうちの少くとも1つと前記クロスチェック用配線のうちの少くとも一本がコンタクトを介して接続されてなることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
H01L 27/118
, H01L 27/10 481
