特許
J-GLOBAL ID：200903001658152922
パワー半導体モジュール
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-229561
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121691
出願日： 1998年08月14日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】一体化したヒートシンクを有するサブモジュールから構成されるパワー半導体モジュールを得ること。【解決手段】サブモジュール2は、各々その上部6aにはんだ付けされた少なくとも1つの半導体チップ3を有する基板6を含み、その下部6bはヒートシンク7と一緒にシールされる。このヒートシンク7は、ナブ、リブなどの形状で、AlSiC, CuSiC, AlSi, Al又はCuから作られた冷却体7aを有している。冷却構造7b は、基板6と共に直接シールすることもできる。サブモジュール2とモジュール化したヒートシンク7を有するパワー半導体モジュールは、増大した信頼性と長寿命、コンパクトな設計及び高電力密度によって、特徴づけられる。パワー半導体モジュール1のモジュール構造2, 7 は、他の素子、例えば制御エレクトロニクス12、プリント回路板13及びバスバー16の一体化と両立する。
請求項（抜粋）：
基板(6)の上部(6a)上に一体化して取り付けられた少なくとも1つの半導体チップ(3)を各々が有する複数のサブモジュールを有するパワー半導体モジュールであって、前記基板(6)は、電気的に絶縁しており、良好な熱伝導率を有し、且つ前記半導体チップ(3)にマッチした膨張係数を有していて、a)1つのサブモジュール(2)は、良好な熱伝導率を有する材料で作られたヒートシンク(7)を有する1つの基板(6)を有し、且つb)前記ヒートシンク(7)は、前記基板(6)の下側(6b)と共にシールされていることを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (4件)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/36
, H01L 23/473
H01L 25/04 C
, H01L 23/36 D
, H01L 23/46 Z
